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富樂華氮化硅陶瓷載板導熱系數(shù)突破110W!
發(fā)布時間:2025年04月22日
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“六邊形戰(zhàn)士”

Si3N4氮化硅

      在半導體行業(yè),Si3N4(氮化硅)一直被譽為“六邊形戰(zhàn)士”,憑借其卓越的耐壓、耐腐蝕、硬度和穩(wěn)定性等特性,成為第三代半導體的首選基材。無論是在電力電子、5G通信還是新能源汽車領域,Si3N4的應用均有望成為推動技術革新的核心驅動力。但與此同時,Si3N4導熱率一直是業(yè)界的痛點,成為制約其在半導體材料領域適用發(fā)展的短板。

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Si3N4材料在半導體行業(yè)是基材的基石


      然而,市場上現(xiàn)有的高導熱Si3N4幾乎由日本企業(yè)壟斷,最高導熱系數(shù)也僅有90W/m·K。這一瓶頸在業(yè)內被視為材料領域的“珠穆拉瑪峰”,許多企業(yè)和科研機構都在努力試圖攻克這一難關。

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高導熱Si3N4正在中國電力電子行業(yè)加速發(fā)展


      富樂華功率半導體研究院突破了這一技術瓶頸,成功研發(fā)出導熱系數(shù)高達110W/m·K的Si3N4陶瓷載板,領先業(yè)內。這一創(chuàng)新不僅保持了Si3N4的其他越性能,而且將導熱率提升了20%,為高功率半導體器件提供了更為卓越的熱管理能力。這一技術突破,標志著富樂華在國內外半導體材料領域的技術領先地位,也讓我們驕傲地將國旗插在陶瓷載板的“珠穆拉瑪峰”上。

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高導熱Si3N4將助力高鐵行業(yè)提升性能,降低能耗


      這一進展的意義不僅在于技術本身的突破,更在于全產業(yè)鏈自主知識產權和國產化可控,這為我國半導體行業(yè)的獨立創(chuàng)新和技術自信奠定了堅實基礎。富樂華的研發(fā)創(chuàng)新打破了國外技術壟斷,有助于推動中國半導體材料從追隨者走向領跑者。

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高導熱Si3N4在新能源汽車中會有更廣闊市場


      我們期待,未來通過持續(xù)的技術研發(fā)和創(chuàng)新,富樂華不僅能夠為全球半導體產業(yè)發(fā)展注入新的動力,更能夠為促進中國成為全球半導體材料的引領者貢獻力量!



END.